三星HBM芯片因发热问题 未通过英伟达测试

　　3名知情人士表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试。

　　

　　外媒报导，消息人士表示，这些问题影响到三星HBM3芯片，以及这家韩国科技巨头及其竞争对手今年推向市场的第5代HBM3E芯片。HBM3芯片是目前人工智能(AI)图形处理器(GPU)最常用的第4代HBM标准。

　　根据三星提供给外媒的声明，HBM是一款定制化内存产品，需“根据客户需求进行优化”，并补充说，三星正通过与客户的密切合作来优化产品。三星拒绝对特定客户置评。

　　HBM是一种动态随机存取内存标准，于2013年首次推出，通过垂直堆叠节省空间并降低功耗，有助于处理复杂AI应用产生的大量资料。随着生成式AI热潮中对复杂GPU的需求激增，HBM的需求也跟着增加。

　　英伟达在全球AI应用GPU的市占率大约是80%，满足英伟达的需求，无论是声誉或利润，都被视为HBM制造商未来成长的关键。

　　英伟达拒绝置评。

　　3名消息人士表示，自去年以来，三星一直在努力通过英伟达对HBM3和HBM3E的测试。根据两位知情人士，最近对三星8层和12层HBM3E芯片的失败测试结果已于4月公布。

　　目前尚不清楚这些问题是否易于解决，但3名消息人士表示，未能满足英伟达的要求加剧业界和投资人的担忧。他们担心三星在HBM方面，可能会进一步落后竞争对手SK海力士和美光科技公司。